SiCウェハ等の平坦化・鏡面研削
超精密グラインダーの加工事例1
アズスライスから鏡面状態へ。
SiCウェハ製造を変える研削加工。
SiCウェハの平坦化（平面研削）とは、ウェハ製造（ウェハメイキング）工程でウェハの片面もしくは両面の平面創成を行うこと。アズスライス状態のSiCウェハは両面ラップを行い、片面研削、研磨、CMPを経て最終仕上げされています。しかし、この方法は加工時間・コストともに多くかかります。そこで弊社では固定砥粒のみでSiCウェハの平面創成と加工歪み層の極小化（鏡面加工）までを一気に実現する研削加工法で対応しています。
加工サンプル
SiCパワー半導体基板の平坦化研削加工
加工レート：約70μm／min
材質：単結晶SiCウェハ
サイズ：4インチ×3枚加工
加工機：NSF-350
SiCウェハの平坦化研削加工
TTV：1μm, LTV：0.8μm
材質：単結晶SiCウェハ
サイズ：4インチ
加工機：NSF-350
SiCウェハの鏡面研削加工
面粗度：Ra 0.61nm,Rz 4.80nm
材質：単結晶SiCウェハ
サイズ：4インチ×7枚加工(6インチ×3枚も加工可能)
加工機：NSF-350
SiCウェハの加工歪み層（ダメージ）の極小化
SSD：平均50nm以下
測定：Si面任意箇所
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