2023年05月31日
皆さんこんにちは。ムーヴです。 今回もSiCについてのお話です。 SiCウエハの加工工程は研削の後にCMP工程（メカノケミカルポリッシュ工程）が入ります。以前お話した通り、SiCはとても硬い材料なので、CMP工程では加工速度が遅く、1時間に0.1μm程度の加工除去しかできません。従ってCMPの前工程でウエハをどこまで仕上げているかが加工プロセスの鍵を握っているのです。 ムーヴではCMP工程の作業を非常にやりやすくするために、研削工程で下記の要素を満たした加工を行っています。 ・ウエハの平坦度が良いこと...
2023年05月30日
皆さんこんにちは。ムーヴです。 SiCについてのお話です。 優れた特性を持ち、様々な製品への搭載が期待されているSiCですが、その加工はとても難しいです。半導体ウエハに使われる基板材は、すべてにおいて脆性材料といわれる、硬くて脆い材質ですが、SiCはその中でも特にダイヤモンドに次ぐ硬さで、とても硬いです。 化学的耐性に強く、物理的な加工が極めて難しい材料です。ぜんぜん削れないので加工時間もかかるし、工具はすぐダメになってしまう。形状精度や面粗さを出すのも難しい。...
2023年05月29日
皆さんこんにちは。ムーヴです。 本日はSiCウエハについてご紹介いたします。 SiC（炭化珪素）半導体は優れた物理的、化学的特性を持つことから、シリコン半導体を凌駕する小型で低損失な半導体デバイスの実現が可能とされており、自動車や産業機械など様々な業界で急速に実用化が進んでいます。 しかし、加工の難しさから製品コストがとても高く、各社はどうやったらランニングコストを低減できるかと加工プロセスの構築に必死になっています。 なんでそんなに加工が難しいのか？それはまたブログ内でご紹介いたします。...
2023年05月26日
皆さんこんにちは。ムーヴです。 本日はロータリ研削加工の事例をご紹介いたします。 φ300mmのHPM38材をロータリ研削加工したワークです。 加工機はナガセインテグレックス製のロータリー研削盤RG-500を使用しました。 平面度は0.7μm/φ300mm ナガセのRG-500は回転テーブルの案内面に独自の油静圧を採用しており、回転精度、回転振れが他のロータリー研削盤と全く違います。 鋼材のロータリー研削加工ならムーヴにお任せください。 ＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝...
2023年05月25日
皆さんこんにちは。ムーヴです。 本日は平面研削盤で超硬材に微細な段差加工を行った事例をご紹介いたします。 100×30×20mmの超硬材に0.2μmの段差を5段加工しました。加工後の寸法精度は0.2μmに対して±0.05μmの誤差となりました。加工機はナガセインテグレックス製の超精密成形平面研削盤SGC-630αを使用しました。 ムーヴではこのような超微細な段差加工を得意としております。 超精密な段差の研削でお困りならムーヴにお任せください。 ＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝...
2023年05月24日
皆さんこんにちは。ムーヴです。 本日は平面研削盤で樹脂金型の超精密平面研削加工した事例をご紹介いたします。 132×100mmの樹脂レンズ金型を想定したSTAVAX材のワークを平面研削加工しました。平面度と面粗度を重視した加工です。粗加工は#325のCBNホイール、仕上げ加工は#1200のダイアモンドホイールを使用しました。 加工後の平面度はTIR：0.66μm、面粗度は15nmRa,98nmRzとなりました。今回の加工はナガセインテグレックス製の超精密成形平面研削盤SGC-630αを使用しました。...
