SiCパワー半導体の薄化・裏面研削
超精密グラインダーの加工事例2
SiC基板のバックグラインディングを
最高の能率、最小のコストで。
SiCの薄化・裏面研削とは、主にパワーデバイス等の用途で性能向上のためにSiC基板の厚みを薄化する加工のこと。BG、バックグラインディングとも呼ばれます。 弊社が加工に用いる定圧定量複合制御研削はSiCなどの高硬度な脆性材料を高能率・高精度に薄化・平坦化するために生み出された革新的な加工法です。従来のインフィード研削に対して数倍の能率と少ない工具摩耗で6インチサイズのSiCも効率よく極薄化することが可能です。
加工サンプル
単結晶SiCウェハの薄化・BG加工
(バックグラインディング)
加工レート：94μm／min※前加工試算値
材質：単結晶SiCウェハ
サイズ：6インチ
加工機：NSF-350
SiCウェハの平坦化研削加工
TTV：1μm, LTV：0.8μm
材質：単結晶SiCウェハ
サイズ：4インチ
加工機：NSF-350
SiCウェハの鏡面研削加工（C面）
面粗度：Ra 0.61nm,Rz 4.80nm
材質：単結晶SiCウェハ
サイズ：4インチ
加工機：NSF-350
t20µmまで薄化したSiCウェハ
SORI：極少
サイズ：2インチ×3枚加工
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