皆さんこんにちは。ムーヴです。
今回もSiCについてのお話です。
今回もSiCについてのお話です。
SiCウエハの加工工程は研削の後にCMP工程（メカノケミカルポリッシュ工程）が入ります。昨日お話した通り、SiCはとても硬い材料なので、CMP工程では加工速度が遅く、1時間に0.1μm程度の加工除去しかできません。従ってCMPの前工程でウエハをどこまで仕上げているかが加工プロセスの鍵を握っているのです。
ムーヴではCMP工程の作業を非常にやりやすくするために、研削工程で下記の要素を満たした加工を行っています。
・ウエハの平坦度が良いこと
・加工ダメージ層の深さが浅いこと
・面粗度が良いこと
・面内分布が良いこと（ウエハ内のどのポイントでも良い精度であること）
・スクラッチが無いこと
このような加工を行う為には、研削盤の性能が極めて重要です。ではムーヴではどんなマシンで加工しているのか？それは次回のブログでご紹介致します。
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